一種B4Si及B6Si的提純方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202110488057.0 申請日 -
公開（公告）號 CN113135576B 公開（公告）日 2022-06-28
申請公布號 CN113135576B 申請公布日 2022-06-28
分類號 C01B35/02（2006.01）I 分類 無機(jī)化學(xué);
發(fā)明人 李明偉;孫宇雷;董國華;張慶猛;鐘業(yè)盛;楊劍民;陳均優(yōu);史麗萍;赫曉東;張文治;何飛 申請（專利權(quán)）人 齊齊哈爾大學(xué)
代理機(jī)構(gòu) 哈爾濱華夏松花江知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 -
地址 150001黑龍江省哈爾濱市南崗區(qū)西大直街92號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 一種B4Si及B6Si的提純方法，它涉及材料領(lǐng)域，本發(fā)明要解決B4Si及B6Si的提純工藝復(fù)雜，提純純度不高的問題，本發(fā)明從經(jīng)濟(jì)與易于實(shí)施的角度出發(fā)，提出如下的提純處理工藝思路：即先對粉體進(jìn)行氧化處理，將部分單質(zhì)如B和Si轉(zhuǎn)化為相應(yīng)的氧化物，然后在加熱條件下用濃KOH處理，將相應(yīng)的雜質(zhì)轉(zhuǎn)化為易溶于水的物質(zhì)，經(jīng)過一系列的處理達(dá)到提純的效果。本發(fā)明應(yīng)用于粉體材料提純領(lǐng)域。