具有非對(duì)稱溝槽氧化物的碳化硅MOSFET結(jié)構(gòu)

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202080007778.9 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN113424328A 公開(kāi)（公告）日 2021-09-21
申請(qǐng)公布號(hào) CN113424328A 申請(qǐng)公布日 2021-09-21
分類號(hào) H01L29/78（2006.01）I;H01L29/423（2006.01）I;H01L21/336（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 路德-金·恩格文森;伊恩·德文尼;Y·夏爾馬 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 株洲中車時(shí)代半導(dǎo)體有限公司
代理機(jī)構(gòu) 永新專利商標(biāo)代理有限公司 代理人 王瓊先
地址 英國(guó)林肯郡
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 在此描述了一種基于碳化硅（SiC）的功率半導(dǎo)體器件，包括：第一導(dǎo)電類型的漏極區(qū)域；設(shè)置在漏極區(qū)域上方的第一導(dǎo)電類型的漂移區(qū)域，其具有比所述漏極區(qū)域的摻雜濃度更低的摻雜濃度；設(shè)置在漂移區(qū)域上的第二導(dǎo)電類型的本體區(qū)域，第二導(dǎo)電類型與第一導(dǎo)電類型相反；第一導(dǎo)電類型的接觸區(qū)域，設(shè)其置在所述本體區(qū)域內(nèi)；源極歐姆接觸，其設(shè)置在源極區(qū)域上方；和與源極區(qū)域、本體區(qū)域和漂移區(qū)域接觸的一個(gè)或多個(gè)溝槽柵極區(qū)域。一個(gè)或多個(gè)溝槽柵極區(qū)域中的每個(gè)均被構(gòu)造成在源極區(qū)域和漂移區(qū)域之間的本體區(qū)域中形成溝道區(qū)域。至少一個(gè)溝槽柵極區(qū)域包括：兩個(gè)豎直側(cè)壁和位于兩個(gè)豎直側(cè)壁之間的底表面；以及沿著豎直側(cè)壁和底比表面的絕緣層。絕緣層包括不同厚度，使得絕緣層在豎直側(cè)壁中的一個(gè)豎直側(cè)壁的包括溝道區(qū)域的部分處比在另一豎直側(cè)壁和所述溝槽的底部處更薄。