半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制造方法和半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202110047944.4 申請日 -
公開（公告）號(hào) CN114765108A 公開（公告）日 2022-07-19
申請公布號(hào) CN114765108A 申請公布日 2022-07-19
分類號(hào) H01L21/336（2006.01）I;H01L21/28（2006.01）I;H01L29/423（2006.01）I;H01L29/51（2006.01）I;H01L29/78（2006.01）I;H01L27/108（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 楊蒙蒙;白杰 申請（專利權(quán)）人 長鑫存儲(chǔ)技術(shù)有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京同立鈞成知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 -
地址 230011安徽省合肥市經(jīng)濟(jì)開發(fā)區(qū)空港工業(yè)園興業(yè)大道388號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制造方法和半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，涉及半導(dǎo)體制造技術(shù)領(lǐng)域，旨在解決現(xiàn)有的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)制造過程中的熱預(yù)算較高，且爐管的無定形硅層影響功函數(shù)層對晶體管的功函數(shù)調(diào)節(jié)過程的問題。本發(fā)明的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制造方法包括形成第一堆棧層；在第一堆棧層上設(shè)置犧牲層。熱退火處理第一堆棧層和犧牲層，第一堆棧層形成第二堆棧層。去除犧牲層和第二堆棧層中的功函數(shù)復(fù)合層和第一導(dǎo)電層，保留第二堆棧層中的襯底、第二界面層和高介電常數(shù)層。在高介電常數(shù)層上形成柵極層。本發(fā)明能夠優(yōu)化半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的功函數(shù)調(diào)整過程，提升半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的性能。