半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)尺寸的測量方法及設(shè)備

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202110053191.8 申請日 -
公開（公告）號 CN114765113A 公開（公告）日 2022-07-19
申請公布號 CN114765113A 申請公布日 2022-07-19
分類號 H01L21/66（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 李政 申請（專利權(quán)）人 長鑫存儲技術(shù)有限公司
代理機構(gòu) 北京同立鈞成知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 -
地址 230011安徽省合肥市經(jīng)濟開發(fā)區(qū)空港工業(yè)園興業(yè)大道388號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本申請實施例提供了一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)尺寸的測量方法及設(shè)備，在測量過程中，先控制原子力顯微鏡的探針從預(yù)設(shè)基準(zhǔn)位置沿垂直于待測半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)頂表面的方向，朝待測半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)頂表面移動第一距離，然后控制探針沿平行于待測半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)頂表面的方向保持上述第一距離對待測半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)表面進行掃描，并檢測探針在待測半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)表面上的各個掃描點的振幅；根據(jù)探針在待測半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)表面上的各個掃描點的振幅，確定待測半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的關(guān)鍵尺寸。本申請在待測半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的表面存在高深寬比的溝槽時，能夠避免對待測半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)造成破壞，測量方式簡單，不受待測半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)表面構(gòu)造的影響，使用范圍更加廣泛。