半導體結(jié)構(gòu)制作方法及半導體結(jié)構(gòu)

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202110033539.7 申請日 -
公開（公告）號 CN114765132A 公開（公告）日 2022-07-19
申請公布號 CN114765132A 申請公布日 2022-07-19
分類號 H01L21/8238（2006.01）I;H01L27/092（2006.01）I;H01L27/108（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 白杰;尤康 申請（專利權(quán)）人 長鑫存儲技術有限公司
代理機構(gòu) 北京同立鈞成知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 -
地址 230011安徽省合肥市經(jīng)濟開發(fā)區(qū)空港工業(yè)園興業(yè)大道388號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明實施例屬于半導體制作技術領域，涉及一種半導體結(jié)構(gòu)制作方法及半導體結(jié)構(gòu)，用于解決容易損傷第二區(qū)域?qū)哪拥膯栴}。該半導體結(jié)構(gòu)制作方法包括：在介質(zhì)層上形成第一擴散膜層，第一擴散膜層的厚度不小于摻雜層的厚度；在第一擴散膜層上形成硬掩膜；向基底蝕刻第一區(qū)域和第二區(qū)域?qū)母髂?，直至暴露出第一區(qū)域?qū)牡谝粩U散膜層；之后，去除第二區(qū)域?qū)慕橘|(zhì)層上殘留的第一金屬氧化物層；由于摻雜層的存在，第二區(qū)域?qū)挠惭谀ず穸容^小，在暴露第一區(qū)域的第一擴散膜層時，第二區(qū)域?qū)牡谝粩U散膜層剛好被除盡或者殘留部分第一擴散膜層，進而避免了第二區(qū)域?qū)拥膿p傷。