半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制造方法和半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制造設(shè)備

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202110043371.8 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN114765126A 公開（公告）日 2022-07-19
申請(qǐng)公布號(hào) CN114765126A 申請(qǐng)公布日 2022-07-19
分類號(hào) H01L21/768（2006.01）I;H01L21/67（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 李世鴻 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 長鑫存儲(chǔ)技術(shù)有限公司
代理機(jī)構(gòu) 上海晨皓知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 -
地址 230601安徽省合肥市經(jīng)濟(jì)技術(shù)開發(fā)區(qū)空港工業(yè)園興業(yè)大道388號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明實(shí)施例提供一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制造方法及半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制造設(shè)備，半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制造方法，包括：提供基底；在所述基底上形成圖形化的光刻膠層，以所述圖形化的光刻膠層為掩膜刻蝕所述基底；刻蝕所述基底后，采用等離子體灰化機(jī)對(duì)所述圖形化的光刻膠層和刻蝕產(chǎn)生的殘留物進(jìn)行等離子體灰化處理；所述等離子體灰化處理的過程在無氧環(huán)境中進(jìn)行。本發(fā)明實(shí)施例能夠去除半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)上的殘留物，且不產(chǎn)生新的殘留物，進(jìn)而能提高半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的電性能。