半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制備方法及半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202110047069.X 申請日 -
公開（公告）號 CN114765107A 公開（公告）日 2022-07-19
申請公布號 CN114765107A 申請公布日 2022-07-19
分類號 H01L21/28（2006.01）I;H01L29/423（2006.01）I;H01L29/51（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 楊蒙蒙;白杰 申請（專利權(quán)）人 長鑫存儲技術(shù)有限公司
代理機構(gòu) 北京同立鈞成知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 -
地址 230011安徽省合肥市經(jīng)濟開發(fā)區(qū)空港工業(yè)園興業(yè)大道388號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明屬于半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制備方法及半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，用于解決半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的氧化物厚度較大的技術(shù)問題。該半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制備方法包括：提供基底，基底包括器件區(qū)域和淺溝槽隔離區(qū)域，淺溝槽隔離區(qū)域環(huán)繞器件區(qū)域，器件區(qū)域暴露于基底表面；于基底上沉積阻擋層，阻擋層至少覆蓋器件區(qū)域；形成初始氧化物，初始氧化物位于器件區(qū)域內(nèi)，且與阻擋層接觸；去除部分初始氧化物，形成器件氧化物。形成初始氧化物時，利用阻擋層遮擋器件區(qū)域，可以減緩初始氧化物的生長速率，控制初始氧化物的厚度，形成較薄的初始氧化物，最終形成較薄的器件氧化物。此外，去除部分初始氧化物后形成器件氧化物，進(jìn)一步減小了器件氧化物的厚度。