半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)制作方法及半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN202110032629.4 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開（公告）號(hào) | CN114765130A | 公開（公告）日 | 2022-07-19 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN114765130A | 申請(qǐng)公布日 | 2022-07-19 |
| 分類號(hào) | H01L21/8238（2006.01）I;H01L27/092（2006.01）I | 分類 | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 楊蒙蒙;白杰 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 | 長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)技術(shù)有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 北京同立鈞成知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 | 代理人 | - |
| 地址 | 230011安徽省合肥市經(jīng)濟(jì)開發(fā)區(qū)空港工業(yè)園興業(yè)大道388號(hào) | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明實(shí)施例屬于半導(dǎo)體制作技術(shù)領(lǐng)域，涉及一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)制作方法及半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，用于解決半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)性能較差的問題。該半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)制作方法包括：提供基底，基底包括第一區(qū)域以及第二區(qū)域；在基底上形成介質(zhì)層；在介質(zhì)層上形成具有第一金屬氧化物層的第一擴(kuò)散膜層；去除第二區(qū)域?qū)?yīng)的第一擴(kuò)散膜層；在第二區(qū)域?qū)?yīng)的介質(zhì)層上形成第二擴(kuò)散膜層，第二擴(kuò)散膜層包括與介質(zhì)層接合的第二金屬氧化物層；退火處理，使第一金屬氧化物層中的第一金屬元素?cái)U(kuò)散至第一區(qū)域?qū)?yīng)的介質(zhì)層中，同時(shí)使第二金屬氧化物層中的第二金屬元素?cái)U(kuò)散至第二區(qū)域?qū)?yīng)的介質(zhì)層中；由于第二金屬氧化物層與介質(zhì)層接觸，第二金屬元素易擴(kuò)散至介質(zhì)層中，從而提高半導(dǎo)體的性能。 |
