一種半導(dǎo)體外延結(jié)構(gòu)及其應(yīng)用
基本信息

| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN202122345525.7 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開(kāi)(公告)號(hào) | CN216793640U | 公開(kāi)(公告)日 | 2022-06-21 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN216793640U | 申請(qǐng)公布日 | 2022-06-21 |
| 分類(lèi)號(hào) | H01L21/677(2006.01)I;H01L21/67(2006.01)I;H01L33/00(2010.01)I | 分類(lèi) | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 陳衛(wèi)軍 | 申請(qǐng)(專(zhuān)利權(quán))人 | 深圳市晶相技術(shù)有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 上海光華專(zhuān)利事務(wù)所(普通合伙) | 代理人 | - |
| 地址 | 518000廣東省深圳市坪山區(qū)坪山街道六和社區(qū)招商花園城17棟S1704 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要

| 摘要 | 本實(shí)用新型提出一種半導(dǎo)體外延結(jié)構(gòu)及其應(yīng)用。且所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)包括:襯底;第一半導(dǎo)體層,設(shè)置在所述襯底上;電阻層,設(shè)置在所述第一半導(dǎo)體層上;有源層,設(shè)置在所述電阻層上;以及第二半導(dǎo)體層,設(shè)置在所述有源層上。通過(guò)本實(shí)用新型提供的一種半導(dǎo)體外延結(jié)構(gòu)及其應(yīng)用,可改善發(fā)光二極管芯片的閃爍情況。 |





