一種APC金屬導(dǎo)電膜配線生產(chǎn)工藝
基本信息

| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN201610922623.3 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開(kāi)(公告)號(hào) | CN106560457A | 公開(kāi)(公告)日 | 2017-04-12 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN106560457A | 申請(qǐng)公布日 | 2017-04-12 |
| 分類號(hào) | C03C17/36(2006.01)I;C23C14/08(2006.01)I;C23C14/18(2006.01)I;C23C14/35(2006.01)I | 分類 | 玻璃;礦棉或渣棉; |
| 發(fā)明人 | 屠有軍;桂丹 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人 | 浙江大明玻璃有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | - | 代理人 | - |
| 地址 | 314204 浙江省平湖市獨(dú)山港區(qū)興港路789號(hào) | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要

| 摘要 | 本發(fā)明公開(kāi)了一種APC金屬導(dǎo)電膜配線生產(chǎn)工藝,包括以下步驟:提供基板并對(duì)所述基板進(jìn)行預(yù)處理;在通入工作氣體和反應(yīng)氣體的條件下,在磁控反應(yīng)濺射鍍膜腔室內(nèi)利用磁控反應(yīng)濺射在預(yù)處理過(guò)的所述基板上沉積ITO膜層,經(jīng)過(guò)黃光蝕刻形成配線;以及在真空度為0.1Pa~1.0Pa的條件下,在所述ITO膜層上沉積APC膜層,并經(jīng)黃光蝕刻形成配線。磁控反應(yīng)濺射的靶材分別為氧化銦錫和銀鈀銅合金,工作氣體為氬氣,反應(yīng)氣體為氧氣。相對(duì)于傳統(tǒng)的鉬鋁鉬金屬膜的制備方法,通過(guò)實(shí)施APC替代MOALMO鍍膜、蝕刻工藝及配合ITO?TH工藝的技術(shù)路線,實(shí)現(xiàn)高導(dǎo)電性能、高信賴性、更具經(jīng)濟(jì)效益的SENSOR配線的批量化產(chǎn)出,滿足日益增長(zhǎng)的平板、手機(jī)、車載、工控、醫(yī)療用觸摸屏的市場(chǎng)需求。 |





