低電容低殘壓大功率過壓保護(hù)器件芯片及其制作工藝

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202110471933.9 申請日 -
公開（公告）號 CN113161347A 公開（公告）日 2021-07-23
申請公布號 CN113161347A 申請公布日 2021-07-23
分類號 H01L27/02;H01L21/8222 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 張興杰;程萬坡;卜程德;王榮元 申請（專利權(quán)）人 江蘇韋達(dá)半導(dǎo)體有限公司
代理機(jī)構(gòu) 南京蘇科專利代理有限責(zé)任公司 代理人 陳棟智
地址 225000 江蘇省揚(yáng)州市邗江區(qū)科技園路8號8
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種低電容低殘壓大功率過壓保護(hù)器件芯片，包括N型單晶硅片，N型單晶硅片的兩側(cè)形成有穿通區(qū)及觸發(fā)區(qū)，N型單晶硅片的雙面形成有基區(qū)，N型單晶硅片雙面的基區(qū)形成陰極區(qū)，N型單晶硅片雙面形成有雙面氧化層，雙面氧化層上位于陽極區(qū)與穿通區(qū)之間處形成內(nèi)溝槽臺面，內(nèi)溝槽臺面處填充有玻璃層，雙面氧化層表面與內(nèi)溝槽臺面結(jié)構(gòu)上形成有二氧化硅保護(hù)膜，二氧化硅保護(hù)膜、雙面氧化層上位于基區(qū)、陽極區(qū)、陰極區(qū)上方光刻形成引線窗口，二氧化硅保護(hù)膜、雙面氧化層上兩側(cè)邊緣光刻形成劃片槽，本發(fā)明實(shí)現(xiàn)了高浪涌、低殘壓、低電容兼容，產(chǎn)品的響應(yīng)速度更快，更加適合目前通信領(lǐng)域的應(yīng)用環(huán)境。