微型可編程浪涌防護器件及其制作工藝

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202110813137.9 申請日 -
公開（公告）號 CN113488526A 公開（公告）日 2021-10-08
申請公布號 CN113488526A 申請公布日 2021-10-08
分類號 H01L29/06;H01L21/82 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 張興杰;程萬坡;卜程德;王榮元 申請（專利權(quán)）人 江蘇韋達(dá)半導(dǎo)體有限公司
代理機構(gòu) 南京蘇科專利代理有限責(zé)任公司 代理人 陳棟智
地址 225000 江蘇省揚州市邗江區(qū)科技園路8號8
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種微型可編程浪涌防護器件及其制作工藝，包括以下步驟：在N型單晶硅片的背面擴散一層濃磷；在高溫下進(jìn)行濃磷再擴散，形成器件內(nèi)二極管的陰極區(qū)和三極管的集電區(qū)；在硅片正面進(jìn)行液態(tài)硼源擴散，形成一定深度的二極管補硼區(qū)；通過離子注入硼對三極管的基區(qū)進(jìn)行摻雜；通過正面液態(tài)硼源擴散在正面形成晶閘管的短基區(qū)以及三極管的基區(qū)補硼區(qū)；在三極管基區(qū)上通過離子注入磷形成三極管的發(fā)射區(qū)；正面光刻出引線窗口，同時在邊緣開出劃片槽；通過LPCVD在表面沉積一層多晶硅；光刻刻出引線孔；正、背面金屬化后，得到芯片；本發(fā)明制得的芯片具有小型化、防浪涌能力高、成本低、可靠性高等優(yōu)點。