三維神經微電極的制作方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN200710171235.7 申請日 -
公開（公告）號 CN100551815C 公開（公告）日 2009-10-21
申請公布號 CN100551815C 申請公布日 2009-10-21
分類號 B81C1/00(2006.01)I 分類 微觀結構技術〔7〕;
發(fā)明人 隋曉紅;李瑩輝;任秋實 申請（專利權）人 上海華實投資有限公司
代理機構 上海交達專利事務所 代理人 上海交通大學;上海華實投資有限公司
地址 200240上海市閔行區(qū)東川路800號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 一種微機電技術領域的三維神經微電極的制作方法，具體如下：以硅片作為襯底，在硅片的正面生長底層SiO2；在底層SiO2上形成金屬合金層，并刻蝕出金屬互連線、壓焊點和接觸圓點；底層SiO2正面生長頂層SiO2，并采用緩沖的HF酸溶液刻蝕頂層SiO2，暴露出壓焊點和接觸圓點，并采用光刻膠填充壓焊點；在接觸圓點的硅平面結構正面旋涂SU-8膠，并通過光刻與刻蝕工藝，形成圓柱形孔，用光刻膠填充壓焊點；在圓柱形孔中電鍍生長金屬，形成金屬圓柱，采用顯影方式去除壓焊點中的光刻膠，暴露壓焊點；進行清洗得到三維多通道微電極陣列。本發(fā)明降低制作成本，提高微電極的高度可控性及各通道一致性。