一種氮化物半導體激光器

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201210012561.4 申請日 -
公開（公告）號 CN102570308A 公開（公告）日 2012-07-11
申請公布號 CN102570308A 申請公布日 2012-07-11
分類號 H01S5/343(2006.01)I;H01S5/20(2006.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 馮美鑫;張書明;劉建平;李增成;楊輝 申請（專利權）人 蘇州納睿光電有限公司
代理機構 蘇州創(chuàng)元專利商標事務所有限公司 代理人 陶海鋒;陸金星
地址 215123 江蘇省蘇州市蘇州工業(yè)園區(qū)若水路398號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種氮化物半導體激光器，從下至上依次包括GaN襯底，n-GaN層，n-AlGaN/GaN超晶格限制層，下InxGa1-xN漸變波導層，InGaN/GaN多量子阱有源區(qū)，上InyGa1-yN漸變波導層，p-AlGaN電子阻擋層，p-AlGaN/GaN超晶格限制層，p-GaN接觸層；所述下InxGa1-xN漸變波導層中，從下至上In組分含量逐漸增加；所述上InyGa1-yN漸變波導層中，從下至上In組分含量逐漸減少。本發(fā)明的氮化物半導體激光器可以有效地減少上InGaN波導層與p-AlGaN電子阻擋層之間的應力，從而避免解理時出現凹凸不平的臺階；同時本發(fā)明的氮化物激光器可以增強激光器的光學限制因子，從而有效地提升激光器的性能，取得了顯著的效果。