一種氮化鎵基激光器外延結(jié)構(gòu)及其制作方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201210012562.9 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN102545058B 公開(kāi)（公告）日 2013-10-09
申請(qǐng)公布號(hào) CN102545058B 申請(qǐng)公布日 2013-10-09
分類(lèi)號(hào) H01S5/343(2006.01)I 分類(lèi) 基本電氣元件;
發(fā)明人 李增成;劉建平;張書(shū)明;王輝;楊輝 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人 蘇州納睿光電有限公司
代理機(jī)構(gòu) 蘇州創(chuàng)元專(zhuān)利商標(biāo)事務(wù)所有限公司 代理人 陶海鋒;陸金星
地址 215123 江蘇省蘇州市蘇州工業(yè)園區(qū)若水路398號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開(kāi)了一種新型氮化鎵基激光器外延結(jié)構(gòu)的制備方法，包括如下步驟：(a)在襯底上外延生長(zhǎng)一層GaN緩沖層；(b)緩沖層上外延n型光限制層；(c)生長(zhǎng)下波導(dǎo)層；(d)外延生長(zhǎng)InaGa1-aN/GaN多量子阱作為有源區(qū)；生長(zhǎng)最后一個(gè)InaGa1-aN量子阱后，將最后一個(gè)GaN勢(shì)壘層用AlGaN層取代，所述AlGaN層為一層1~50nm厚的Al組分漸變的AlxGa1-xN，或者為至少2層Al組分逐漸增加的AlyGa1-yN層；(e)外延生長(zhǎng)一層p型AlzGa1-zN電子阻擋層；所述步驟(d)和(e)中：0≦x≦y≦z≦1；(f)生長(zhǎng)上波導(dǎo)層；(g)生長(zhǎng)p型光限制層；(h)生長(zhǎng)歐姆接觸層。本發(fā)明的制備方法克服了最上面的GaN勢(shì)壘層與AlGaN電子阻擋層界面上電子積聚的問(wèn)題；可有效提高激光器的性能。