基于SRAM的存儲器結構及其方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201710843384.7 申請日 -
公開（公告）號 CN107910032A 公開（公告）日 2018-04-13
申請公布號 CN107910032A 申請公布日 2018-04-13
分類號 G11C14/00 分類 信息存儲;
發(fā)明人 駱志炯;金曉明;王澍 申請（專利權）人 上海博維邏輯半導體技術有限公司
代理機構 北京博雅睿泉專利代理事務所（特殊普通合伙） 代理人 上海博維邏輯半導體技術有限公司
地址 201306 上海市浦東新區(qū)泥城鎮(zhèn)云端路1412弄15號2樓
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 這里總體上描述了用于基于靜態(tài)隨機存取存儲器SRAM的存儲器結構及其方法的技術，例如具有陣列SRAM和NVM的多位非易失性靜態(tài)隨機存取存儲器nvSRAM、或SRAM緩沖的一次性可編程OTP存儲器、RRAM或其他電阻RAM。