硅基三維立體集成收發(fā)前端

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202110648609.X 申請日 -
公開（公告）號 CN113539998A 公開（公告）日 2021-10-22
申請公布號 CN113539998A 申請公布日 2021-10-22
分類號 H01L23/48（2006.01）I;H01L25/18（2006.01）I;H01L23/367（2006.01）I;H01L23/66（2006.01）I;H01Q1/38（2006.01）I;H01Q1/50（2006.01）I;H01Q1/22（2006.01）I;H04B1/40（2015.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 沈國策;周駿;師建行;楊東升 申請（專利權(quán)）人 南京國博電子股份有限公司
代理機(jī)構(gòu) 南京經(jīng)緯專利商標(biāo)代理有限公司 代理人 施昊
地址 211111江蘇省南京市江寧經(jīng)濟(jì)技術(shù)開發(fā)區(qū)正方中路166號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了硅基三維立體集成收發(fā)前端，包括硅基天線輻射層、天線饋電網(wǎng)絡(luò)層、射頻信號垂直傳輸層、封裝芯片模組層和輸入/輸出端口層；天線饋電網(wǎng)絡(luò)層中包含一密閉的空氣腔結(jié)構(gòu)，射頻信號垂直傳輸層的內(nèi)部集成有高密度的三維立體垂直硅通孔，射頻信號垂直傳輸層通過圓片級鍵合工藝與天線饋電網(wǎng)絡(luò)層鍵合；封裝芯片模組層通過FanOut封裝工藝在內(nèi)部集成了射頻收發(fā)芯片、波束控制芯片和電源調(diào)制芯片，各芯片之間通過多層重布線進(jìn)行互連；輸入/輸出端口層的內(nèi)部集成有高密度的球柵陣列。本發(fā)明將天線、TSV和封裝芯片模組三維立體集成為射頻收發(fā)前端，具有體積小、重量輕、集成度較高等技術(shù)優(yōu)勢。