紅外探測器及其制作方法
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN202011345739.8 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開（公告）號(hào) | CN112310234A | 公開（公告）日 | 2021-02-02 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN112310234A | 申請(qǐng)公布日 | 2021-02-02 |
| 分類號(hào) | H01L31/0352(2006.01)I; | 分類 | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 張立群;黃勇 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 | 蘇州晶歌半導(dǎo)體有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 深圳市銘粵知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 | 代理人 | 孫偉峰;武岑飛 |
| 地址 | 215000江蘇省蘇州市蘇州工業(yè)園區(qū)金雞湖大道99號(hào)蘇州納米城20號(hào)樓3層300-44工位（集群登記） | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明公開了一種紅外探測器，其P型超晶格勢壘層(14)為P型InPSb/GaSb超晶格。本發(fā)明采用InPSb/GaSb超晶格制作形成電子勢壘層，其勢壘高度高于傳統(tǒng)的InAs/GaSb超晶格電子勢壘，從而改善電子阻擋效果。本發(fā)明還公開了一種紅外探測器，其N型超晶格勢壘層(12)為N型InPSb/GaSb超晶格。本發(fā)明采用InPSb/GaSb超晶格制作形成空穴勢壘層，由于不含有Al，因此避免了含Al材料的氧化，降低了材料生長和加工的難度，提升了器件穩(wěn)定性和可靠性。本發(fā)明還公開了一種紅外探測器的制作方法。?? |
