雙色紅外探測(cè)器
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN202120215210.8 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開(kāi)（公告）號(hào) | CN215266335U | 公開(kāi)（公告）日 | 2021-12-21 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN215266335U | 申請(qǐng)公布日 | 2021-12-21 |
| 分類(lèi)號(hào) | H01L31/101（2006.01）I;H01L31/0304（2006.01）I;H01L31/0352（2006.01）I;H01L31/18（2006.01）I | 分類(lèi) | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 黃勇;張立群 | 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人 | 蘇州晶歌半導(dǎo)體有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 深圳市銘粵知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 | 代理人 | 孫偉峰;武岑飛 |
| 地址 | 215000江蘇省蘇州市蘇州工業(yè)園區(qū)金雞湖大道99號(hào)蘇州納米城20號(hào)樓3層300-44工位（集群登記） | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本實(shí)用新型公開(kāi)了一種雙色紅外探測(cè)器，其包括層疊設(shè)置的中波長(zhǎng)紅外探測(cè)器和長(zhǎng)波長(zhǎng)紅外探測(cè)器，所述中波長(zhǎng)紅外探測(cè)器的中波通道吸收層為P型InAs/InAsSb超晶格或P型InAsP/InAsSb超晶格，所述長(zhǎng)波長(zhǎng)紅外探測(cè)器的長(zhǎng)波通道吸收層為P型InAs/GaSb超晶格，所述中波長(zhǎng)紅外探測(cè)器的中波通道勢(shì)壘層和所述長(zhǎng)波長(zhǎng)紅外探測(cè)器的長(zhǎng)波通道勢(shì)壘層均為N型InPSb/InAs超晶格。本實(shí)用新型的雙色紅外探測(cè)器的中波通道吸收層采用了InAs/InAsSb或InAsP/InAsSb超晶格，長(zhǎng)波通道吸收層采用了InAs/GaSb超晶格，如此保證了各波段器件的最佳性能。 |
