雙色紅外探測(cè)器及其制作方法
基本信息

| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN202110672789.5 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開(公告)號(hào) | CN113410329A | 公開(公告)日 | 2021-09-17 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN113410329A | 申請(qǐng)公布日 | 2021-09-17 |
| 分類號(hào) | H01L31/101(2006.01)I;H01L31/109(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I | 分類 | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 黃勇 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人 | 蘇州晶歌半導(dǎo)體有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 深圳市銘粵知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 | 代理人 | 孫偉峰;武岑飛 |
| 地址 | 215000江蘇省蘇州市蘇州工業(yè)園區(qū)金雞湖大道99號(hào)蘇州納米城20號(hào)樓3層300-44工位(集群登記) | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要

| 摘要 | 提供了一種雙色紅外探測(cè)器,其包括襯底、中波通道接觸層、中波通道吸收層、中波通道勢(shì)壘層、中波連接層、長(zhǎng)波通道吸收層、長(zhǎng)波通道勢(shì)壘層、長(zhǎng)波通道接觸層、第一電極以及第二電極;中波通道接觸層、中波通道吸收層、中波通道勢(shì)壘層、中波連接層、長(zhǎng)波通道吸收層、長(zhǎng)波通道勢(shì)壘層以及長(zhǎng)波通道接觸層依序?qū)盈B設(shè)置于襯底上,第一電極與中波通道接觸層接觸,第二電極設(shè)置于長(zhǎng)波通道接觸層上。還提供了一種雙色紅外探測(cè)器的制作方法。在本發(fā)明的雙色紅外探測(cè)器及其制作方法中,采用了非對(duì)稱的結(jié)構(gòu),即使長(zhǎng)波通道吸收層和中波連接層居中,中波通道吸收層和長(zhǎng)波通道勢(shì)壘層居于兩側(cè),每個(gè)波段均采用最佳的異質(zhì)結(jié)結(jié)構(gòu),保證了長(zhǎng)波和中波波段的性能最佳。 |





