雙色紅外探測(cè)器及其制作方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202110103882.4 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN112786731A 公開(kāi)（公告）日 2021-05-11
申請(qǐng)公布號(hào) CN112786731A 申請(qǐng)公布日 2021-05-11
分類(lèi)號(hào) H01L31/101;H01L31/0304;H01L31/0352;H01L31/18 分類(lèi) 基本電氣元件;
發(fā)明人 黃勇;張立群 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人 蘇州晶歌半導(dǎo)體有限公司
代理機(jī)構(gòu) 深圳市銘粵知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 孫偉峰;武岑飛
地址 215000 江蘇省蘇州市蘇州工業(yè)園區(qū)金雞湖大道99號(hào)蘇州納米城20號(hào)樓3層300-44工位（集群登記）
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開(kāi)了一種雙色紅外探測(cè)器，其包括層疊設(shè)置的中波長(zhǎng)紅外探測(cè)器和長(zhǎng)波長(zhǎng)紅外探測(cè)器，所述中波長(zhǎng)紅外探測(cè)器的中波通道吸收層為P型InAs/InAsSb超晶格或P型InAsP/InAsSb超晶格，所述長(zhǎng)波長(zhǎng)紅外探測(cè)器的長(zhǎng)波通道吸收層為P型InAs/GaSb超晶格，所述中波長(zhǎng)紅外探測(cè)器的中波通道勢(shì)壘層和所述長(zhǎng)波長(zhǎng)紅外探測(cè)器的長(zhǎng)波通道勢(shì)壘層均為N型InPSb/InAs超晶格。本發(fā)明還公開(kāi)了一種雙色紅外探測(cè)器的制作方法。本發(fā)明的雙色紅外探測(cè)器的中波通道吸收層采用了InAs/InAsSb或InAsP/InAsSb超晶格，長(zhǎng)波通道吸收層采用了InAs/GaSb超晶格，如此保證了各波段器件的最佳性能。