一種碳化硅晶片減薄裝置及方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202210519304.3 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN114714234A 公開（公告）日 2022-07-08
申請(qǐng)公布號(hào) CN114714234A 申請(qǐng)公布日 2022-07-08
分類號(hào) B24B29/02（2006.01）I;B24B55/03（2006.01）I;B24B1/00（2006.01）I;H01L21/02（2006.01）I;H01L21/67（2006.01）I 分類 磨削；拋光;
發(fā)明人 姚智勇;賀賢漢;李有群;蔡佳琳;吳寒 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 安徽微芯長(zhǎng)江半導(dǎo)體材料有限公司
代理機(jī)構(gòu) 銅陵市天成專利事務(wù)所（普通合伙） 代理人 -
地址 244000安徽省銅陵市經(jīng)濟(jì)開發(fā)區(qū)西湖三路
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了碳化硅晶片減薄領(lǐng)域的，具體為一種碳化硅晶片減薄裝置，操作室和安裝箱，所述安裝箱頂端設(shè)置有拋光機(jī)構(gòu)，所述操作室內(nèi)側(cè)壁設(shè)置有間歇起伏機(jī)構(gòu)，所述間歇起伏機(jī)構(gòu)包括兩個(gè)轉(zhuǎn)動(dòng)盤和兩V形牽引架，所述轉(zhuǎn)動(dòng)盤對(duì)稱轉(zhuǎn)動(dòng)連接在操作室內(nèi)側(cè)壁上，其中一個(gè)所述轉(zhuǎn)動(dòng)盤表面?zhèn)鲃?dòng)連接有第一電機(jī)，所述第一電機(jī)固定連接在操作室外側(cè)壁上，所述V形牽引架上均開設(shè)有牽引弧槽，兩個(gè)所述轉(zhuǎn)動(dòng)盤表面共同固定連接有推動(dòng)桿。本發(fā)明通過設(shè)置間歇起伏機(jī)構(gòu)，使得晶片間歇進(jìn)行拋光作用，避免晶片長(zhǎng)時(shí)間摩擦拋光，導(dǎo)致晶片溫度升高，發(fā)生損害，同時(shí)將將牽引弧槽半徑設(shè)置與推動(dòng)桿運(yùn)動(dòng)軌跡半徑相同，延長(zhǎng)拋光時(shí)間，避免拋光時(shí)間短，導(dǎo)致拋光效率降低。