三位準單元的動態(tài)隨機存取記憶體及其讀取方法

基本信息

申請?zhí)?/td> TW105125763 申請日 -
公開（公告）號 TW201711031A 公開（公告）日 2017-03-16
申請公布號 TW201711031A 申請公布日 2017-03-16
分類號 G11C11/56;G11C11/419 分類 信息存儲;
發(fā)明人 劉波 申請（專利權）人 深圳星憶存儲科技有限公司
代理機構 賴正健;陳家輝 代理人 深圳星憶存儲科技有限公司
地址 中國大陸
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 一種三位準單元的動態(tài)隨機存取記憶體及其讀取方法三位準單元的動態(tài)隨機存取記憶體(DRAM)將三種電壓位準(0，VDD/2，VDD)儲存在復數(shù)個記憶單元上選定的記憶單元連接到位線(BLT)以產生訊號電壓，相鄰的參考位元線(BLR)產生VDD/2參考電壓使用一種不對稱靈敏放大器(ASA)判斷訊號電壓和參考電壓的不同和相同，該放大器具有正偏移電壓和負偏移電壓ASA的控制訊號A和訊號B在不同的時間點進行切換、或在不同的電壓位準進行切換或者二者的結合，以將偏移電壓設置在正極性或負極性可以從同一個ASA連續(xù)讀取兩次或者從兩個ASA進行一次單獨讀取，以讀取儲存單中繼資料到本地IOASA的輸出將用於將電壓恢復到訪問的記憶單元