半導(dǎo)體單晶成長坩堝

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202023116163.6 申請日 -
公開（公告）號 CN215404658U 公開（公告）日 2022-01-04
申請公布號 CN215404658U 申請公布日 2022-01-04
分類號 C30B29/42（2006.01）I;C30B23/00（2006.01）I 分類 晶體生長〔3〕;
發(fā)明人 劉衛(wèi)國;周文婉;李志高 申請（專利權(quán)）人 朝陽通美晶體科技有限公司
代理機構(gòu) - 代理人 -
地址 122300遼寧省朝陽市喀左縣經(jīng)濟開發(fā)區(qū)306室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實用新型涉及半導(dǎo)體單晶成長坩堝，其從下至上包括晶種培育段、晶種復(fù)壯段、晶種成長段，晶種培育段、晶種復(fù)壯段、晶種成長段相連通；所述晶種培育段為具有半球形尖端的圓錐體；所述晶種復(fù)壯段包括半橢圓體和下圓臺體，半橢圓體與晶種培育段的側(cè)部通過曲線面平滑對接，半橢圓體與下圓臺體側(cè)部平滑對接；所述晶種成長段包括上圓臺體、圓柱體，上圓臺體與下圓臺體側(cè)部平滑對接，上圓臺體與圓柱體側(cè)部平滑對接。通過本實用新型所述半導(dǎo)體單晶成長坩堝其通過形狀來限制單晶體晶種的成長過程和速度，其所培育出的單晶體成品率高。