一種用于晶體生長(zhǎng)的銥金坩堝
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN202020061602.9 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開(kāi)（公告）號(hào) | CN211595845U | 公開(kāi)（公告）日 | 2020-09-29 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN211595845U | 申請(qǐng)公布日 | 2020-09-29 |
| 分類號(hào) | C30B15/10(2006.01)I | 分類 | 晶體生長(zhǎng)〔3〕; |
| 發(fā)明人 | 丁言國(guó);葉崇志;丁祖兵;陳凱 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 | 上海新漫晶體材料科技有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | - | 代理人 | - |
| 地址 | 201821上海市嘉定區(qū)葉城路1611號(hào) | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本實(shí)用新型公開(kāi)了一種用于晶體生長(zhǎng)的銥金坩堝，是通過(guò)在銥金坩堝側(cè)壁極易出現(xiàn)變形的地方增加一種加強(qiáng)筋從而增加銥金坩堝側(cè)壁的強(qiáng)度，以及對(duì)銥金坩堝的外表面噴涂一種致密的耐高溫保護(hù)涂層，將銥金坩堝的外表面包裹起來(lái)，從而阻止銥金揮發(fā)和逸散到環(huán)境大氣中，達(dá)到降低銥金坩堝變形的目的。該實(shí)用新型銥金坩堝用來(lái)生長(zhǎng)熔點(diǎn)超過(guò)2000℃的LYSO晶體，晶體生長(zhǎng)持續(xù)時(shí)間為15天，經(jīng)過(guò)多次生長(zhǎng)晶體后，銥金坩堝表面無(wú)明顯的銥金揮發(fā)和明顯的變形現(xiàn)象，保護(hù)涂層沒(méi)有出現(xiàn)脫落和開(kāi)裂的現(xiàn)象，晶體產(chǎn)業(yè)化生產(chǎn)比較穩(wěn)定，銥金坩堝可以反復(fù)使用周期達(dá)到20次以上，從而有效的降低晶體產(chǎn)業(yè)化生產(chǎn)成本。?? |
