一種檢測區(qū)熔多晶硅表面損傷深度的方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202111406144.3 申請日 -
公開（公告）號 CN114184622A 公開（公告）日 2022-03-15
申請公布號 CN114184622A 申請公布日 2022-03-15
分類號 G01N21/95（2006.01）I;G01N1/28（2006.01）I;G01N1/32（2006.01）I 分類 測量；測試;
發(fā)明人 李朋飛;徐巖;王春靜;邢陽陽;王露;董永鴿;曹佳佳;韓秀英;張艷玲;左賽虎 申請（專利權）人 陜西有色天宏瑞科硅材料有限責任公司
代理機構 中原信達知識產權代理有限責任公司 代理人 張一軍;王安娜
地址 719208陜西省榆林市佳縣工業(yè)園
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種檢測區(qū)熔多晶硅表面損傷深度的方法，涉及半導體制造技術領域。該方法的一具體實施方式包括：從機加后的區(qū)熔多晶硅棒上切割下一段多晶硅棒；從所述多晶硅棒的外緣上獲取多晶硅片；采用蝕刻劑對所述多晶硅片進行蝕刻；采用顯微鏡采集蝕刻后的所述多晶硅片的表面的損傷圖像，從而檢測區(qū)熔多晶硅表面的損傷深度。該實施方式能夠解決目前沒有可以實現(xiàn)檢測區(qū)熔多晶硅表面損傷深度的方法的技術問題。