一種用于MCU高頻時(shí)鐘的頻率溫度補(bǔ)償電路及其實(shí)現(xiàn)方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202110456305.3 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN113131930A 公開（公告）日 2021-07-16
申請(qǐng)公布號(hào) CN113131930A 申請(qǐng)公布日 2021-07-16
分類號(hào) H03L7/16（2006.01）I;H03L7/099（2006.01）I 分類 基本電子電路;
發(fā)明人 宋振宇;鄭軒;黃楊程 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 廣州鴻博微電子技術(shù)有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京澤方譽(yù)航專利代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 陳照輝
地址 510000廣東省廣州市黃埔區(qū)科學(xué)大道18號(hào)A棟402房
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本申請(qǐng)實(shí)施例提供了一種用于MCU高頻時(shí)鐘的頻率溫度補(bǔ)償電路及其實(shí)現(xiàn)方法，電路包括電壓限制電路、電流源電路、邏輯電路以及時(shí)鐘信號(hào)輸出電路；邏輯電路包括第一電容模組、第二電容模組、第一開關(guān)、第二開關(guān)、第一NMOS管、第二NMOS管以及第三NMOS管；第一電容模組包括并聯(lián)連接的第一金屬電容和第一MOS可變電容，第二電容模組包括并聯(lián)連接的第二金屬電容和第二MOS可變電容；本申請(qǐng)實(shí)施例通過(guò)在振蕩器的電容中設(shè)置具有負(fù)溫度系數(shù)的MOS可變電容，從而使得振蕩器對(duì)其主電容充放電的時(shí)間帶有負(fù)溫度系數(shù)，抵消邏輯電路延遲的正溫度系數(shù)，減小MCU高頻主時(shí)鐘輸出頻率隨溫度的變化，并且簡(jiǎn)化了MCU的高頻主振蕩器的結(jié)構(gòu)，減小了高頻主振蕩器的面積以及降低成本。