一種生長高品質(zhì)碳化硅晶須的方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201610482192.3 申請日 -
公開（公告）號 CN106048728B 公開（公告）日 2018-06-26
申請公布號 CN106048728B 申請公布日 2018-06-26
分類號 C30B29/36;C30B29/62;C30B9/00 分類 晶體生長〔3〕;
發(fā)明人 朱燦;李斌;宋生;張亮 申請（專利權(quán)）人 山東天岳晶體材料有限公司
代理機構(gòu) 濟南舜源專利事務所有限公司 代理人 苗峻
地址 250118 山東省濟南市槐蔭區(qū)美里湖美里路中段
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明屬于碳化硅溶液法技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種生長高品質(zhì)碳化硅晶須的方法，采用了以一種生長裝置實現(xiàn)，通過將晶須收集棒和收集板浸入到石墨坩堝中的碳化硅溶液中，通過調(diào)整合成位置和合成溫度，可調(diào)控生長晶須。采用本發(fā)明提供了一種生產(chǎn)高品質(zhì)SiC晶須的方法，生產(chǎn)過程簡單，操作性強，生產(chǎn)成本低，可批量化生長可控尺寸的高品質(zhì)碳化硅晶須。