一種高純半絕緣碳化硅襯底的制備方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201710019521.5 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN106757357B 公開(kāi)（公告）日 2019-04-09
申請(qǐng)公布號(hào) CN106757357B 申請(qǐng)公布日 2019-04-09
分類號(hào) C30B29/36（2006.01）I; C30B33/02（2006.01）I 分類 晶體生長(zhǎng)〔3〕;
發(fā)明人 高超; 宗艷民; 李長(zhǎng)進(jìn); 李加林 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 山東天岳晶體材料有限公司
代理機(jī)構(gòu) 濟(jì)南舜源專利事務(wù)所有限公司 代理人 趙斌;苗峻
地址 250100 山東省濟(jì)南市高新區(qū)新宇路西側(cè)世紀(jì)財(cái)富中心AB座1106-6-01室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明屬于新材料加工技術(shù)領(lǐng)域，發(fā)明人提供了一種全新的高純半絕緣碳化硅襯底的制備方法，該方法采用正常獲得的碳化硅單晶進(jìn)行粗加工，切割得到厚度為3?8mm的晶棒，或加工為厚度為300?800μm的碳化硅晶片之后對(duì)上述晶棒或晶片進(jìn)行高溫快速退火從而獲得高純半絕緣碳化硅襯底，該方法避免了在碳化硅晶體生長(zhǎng)過(guò)程中進(jìn)行熱場(chǎng)調(diào)節(jié)，而是直接對(duì)加工好的高質(zhì)量碳化硅單晶進(jìn)行二次高溫快速退火加工，從而在晶片中引入本征點(diǎn)缺陷來(lái)實(shí)現(xiàn)碳化硅單晶的半絕緣特性，獲得的半絕緣碳化硅襯底品質(zhì)好且加工方法簡(jiǎn)單，效率較之現(xiàn)有技術(shù)更高。