具有浪涌防護(hù)功能的肖特基結(jié)構(gòu)
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN202022145705.6 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開(kāi)（公告）號(hào) | CN212848416U | 公開(kāi)（公告）日 | 2021-03-30 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN212848416U | 申請(qǐng)公布日 | 2021-03-30 |
| 分類號(hào) | H01L29/872(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I | 分類 | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 劉宗賀 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 | 深圳長(zhǎng)晶微電子有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 深圳市宏德雨知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） | 代理人 | 李捷 |
| 地址 | 518000廣東省深圳市龍崗區(qū)布吉街道文景社區(qū)廣場(chǎng)路中安大廈1803-11 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本實(shí)用新型提供一種具有浪涌防護(hù)功能的肖特基結(jié)構(gòu)，其包括N型襯底、肖特基勢(shì)壘層、P++擴(kuò)散層、表面結(jié)構(gòu)、陰極電極和P+分壓環(huán)，肖特基勢(shì)壘層設(shè)置在N型襯底一端中部，P++擴(kuò)散層呈環(huán)狀，設(shè)置在肖特基勢(shì)壘層外側(cè)，表面結(jié)構(gòu)設(shè)置在肖特基勢(shì)壘層一端，用于芯片封裝焊接，陰極電極設(shè)置在N型襯底一端，用于封裝電極焊接導(dǎo)電，P+分壓環(huán)設(shè)置在N型襯底一端，呈環(huán)狀，且位于P++擴(kuò)散層外側(cè)。本實(shí)用新型的具有浪涌防護(hù)功能的肖特基結(jié)構(gòu)，相當(dāng)于在肖特基勢(shì)壘結(jié)四周有一圈單向TVS對(duì)肖特基勢(shì)壘結(jié)進(jìn)行保護(hù)，P+分壓環(huán)可以降低肖特基的表面電場(chǎng)集中，提高了肖特基結(jié)構(gòu)的擊穿電壓，提高了對(duì)電路的保護(hù)能力，增加了產(chǎn)品的使用壽命。?? |
