一種單晶爐

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202022863075.6 申請日 -
公開（公告）號 CN214032746U 公開（公告）日 2021-08-24
申請公布號 CN214032746U 申請公布日 2021-08-24
分類號 C30B15/00（2006.01）I;C30B29/06（2006.01）I;F17D1/02（2006.01）I;F17D3/01（2006.01）I 分類 晶體生長〔3〕;
發(fā)明人 宋克冉;孫須良;楊西虎 申請（專利權(quán)）人 曲靖晶龍電子材料有限公司
代理機構(gòu) 上海華誠知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 徐穎聰
地址 655000云南省曲靖市曲靖經(jīng)濟技術(shù)開發(fā)區(qū)光伏一號路以東、南海大道以南
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實用新型提供單晶爐，該單晶爐包括單晶爐本體與供氣裝置，單晶爐本體包括爐蓋部與爐頸部，爐頸部位于爐蓋部的上方，爐頸部的內(nèi)徑小于爐蓋部的內(nèi)徑；爐蓋部上或其與爐頸部連接處設有第一進氣口，爐頸部上設有第二進氣口，供氣裝置包括氣源、三通閥和三個供氣管路；通過三通閥調(diào)節(jié)氣體進入單晶爐本體的位置以調(diào)節(jié)氣體進入單晶爐本體的氣流方向，不同的氣流方向適應不同工序下的單晶硅的形成，以增加單晶硅生長的環(huán)境要求；在單晶硅的制造過程中，當處于等徑工序的時候氬氣經(jīng)過爐頸部后豎直向下吹向正在生長的單晶硅，可避免因從側(cè)面吹而造成的晃動現(xiàn)象出現(xiàn)，且能極大的提高爐內(nèi)潔凈度，提高單晶硅的生長質(zhì)量，提高生產(chǎn)效率。