激光退火多晶硅薄膜晶體管柵絕緣層的制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN200410011136.9 申請日 -
公開（公告）號 CN1755900A 公開（公告）日 2006-04-05
申請公布號 CN1755900A 申請公布日 2006-04-05
分類號 H01L21/283(2006.01);H01L21/441(2006.01);H01L21/336(2006.01) 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 駱文生;付國柱;荊海;邵喜斌;廖燕平;齊曉微 申請（專利權(quán)）人 長春北方液晶工程研究開發(fā)中心有限公司
代理機構(gòu) 長春科宇專利代理有限責(zé)任公司 代理人 李恩慶
地址 130033吉林省長春市經(jīng)濟開發(fā)區(qū)蘇州南街299號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 一種屬于半導(dǎo)體材料技術(shù)領(lǐng)域的激光退火多晶硅薄膜晶體管柵絕緣層的制備方法，首先將生長厚度為150nm的非晶硅(a－Si)薄膜放入真空室內(nèi)進行脫氫處理，經(jīng)過脫氫處理后的樣品放入樣品室，在有氧氣的條件下，利用準分子激光器發(fā)出能量密度為350mJ，頻率為3Hz的激光，經(jīng)勻光系統(tǒng)，使其轉(zhuǎn)變光斑尺寸為50mm×1mm的光斑對非晶硅(a－Si)薄膜表面進行掃描，使其表面形成大約100mm左右的SiO2層；接下來在真空度達到1Pa以上條件下，再以350mJ的激光能量密度對樣品表面進行掃描，使其底層大約50nm左右的a－Si膜熔融再結(jié)晶為P－Si薄膜。這種生長方法是在同一片a－Si薄膜上通過激光退火使a－Si薄膜連續(xù)轉(zhuǎn)化為SiO2和P－Si薄膜，可使SiO2與P－Si層之間保持著較低的界面態(tài)密度。