用于片上集成的整流橋結(jié)構(gòu)

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201720165562.0 申請日 -
公開（公告）號 CN206505919U 公開（公告）日 2017-09-19
申請公布號 CN206505919U 申請公布日 2017-09-19
分類號 H01L27/04(2006.01)I;H02M7/06(2006.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 徐義強;康明輝;范建林;朱波;曾紅霞 申請（專利權(quán)）人 無錫新硅微電子有限公司
代理機構(gòu) 無錫華源專利商標(biāo)事務(wù)所（普通合伙） 代理人 無錫新硅微電子有限公司;南京國博電子有限公司
地址 214028 江蘇省無錫市新區(qū)龍山路4號旺莊科技創(chuàng)業(yè)中心B棟1204室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實用新型公開了一種用于片上集成的整流橋結(jié)構(gòu)，屬于電路領(lǐng)域。該整流橋結(jié)構(gòu)包括構(gòu)成整流橋的四個二極管、兩個少子保護環(huán)；四個所述二極管中的第一二極管和第二二極管分別被一個少子保護環(huán)包圍；所述少子保護環(huán)由深N阱DNW和位于所述DNW下方的N型深埋層BN構(gòu)成，所述少子保護環(huán)貫穿所述二極管所在的P型外延層；所述少子保護環(huán)中的所述DNW通過金屬線與P型源漏PSD連接，所述PSD被淺P阱SPWELL包圍；解決了現(xiàn)有技術(shù)中將整流橋和主芯片集成到同一塊襯底時，整流橋會出現(xiàn)寄生漏電的問題；達到了能夠?qū)⒄鳂蚝椭餍酒傻酵粔K襯底，提高產(chǎn)品的集成程度的效果。