一種多像素超小電容X射線探測單元及探測器

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202010817122.5 申請日 -
公開（公告）號 CN111969069A 公開（公告）日 2020-11-20
申請公布號 CN111969069A 申請公布日 2020-11-20
分類號 H01L31/0224;H01L31/0352;H01L31/118;H01L27/144 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 李正;唐立鵬 申請（專利權(quán)）人 湖南正芯微電子探測器有限公司
代理機構(gòu) 長沙新裕知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 湖南正芯微電子探測器有限公司
地址 411100 湖南省湘潭市岳塘區(qū)創(chuàng)新創(chuàng)業(yè)園C區(qū)4棟4樓
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種多像素超小電容X射線探測單元及探測器，多像素超小電容X射線探測單元，包括n型硅基體，其頂面設(shè)有P+陰極，底面設(shè)有n+陽極；n型硅基體的頂面設(shè)有第一二氧化硅矩形框，第一二氧化硅矩形框內(nèi)設(shè)有第二二氧化硅矩形框，兩者間形成第一P+重摻雜離子注入?yún)^(qū)，第二二氧化硅矩形框內(nèi)形成第二P+重摻雜離子注入?yún)^(qū)，第二二氧化硅矩形框上形成連通第一P+重摻雜離子注入?yún)^(qū)和第二P+重摻雜離子注入?yún)^(qū)形成P+陰極的缺口，缺口為第三P+重摻雜離子注入?yún)^(qū)，第二P+重摻雜離子注入?yún)^(qū)上鍍設(shè)有陰極鋁層。一種多像素超小電容X射線探測器，由多個上述所述的多像素超小電容x射線探測單元呈陣列分布組成，電極面積和電容值小。