一種表面增透發(fā)光二極管

基本信息

申請?zhí)?/td> CN03138956.2 申請日 -
公開（公告）號 CN100463234C 公開（公告）日 2009-02-18
申請公布號 CN100463234C 申請公布日 2009-02-18
分類號 H01L33/00(2006.01) 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 何曉光;黃尊祥 申請（專利權(quán)）人 廈門市三安光電股份有限公司
代理機構(gòu) 廈門原創(chuàng)專利事務(wù)所 代理人 廈門市三安光電科技有限公司
地址 361009福建省廈門市思明區(qū)呂嶺路1721－1725號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種表面增透發(fā)光二極管，其特征是在常規(guī)結(jié)構(gòu)的窗口層上有一層或多層在外延過程中生長的表面增透層，經(jīng)過化學(xué)腐蝕及氧化后形成一層或多層三氧化二鋁表面增透薄膜；在表面增透層的上方可有保護層，表面增透層選自鋁鎵砷層或砷化鋁層，保護層選自砷化鎵層或鎵銦磷層，保護層在工藝之后去除；采用金屬有機源化學(xué)氣象沉積(MOCVD)方法在發(fā)光二極管外延生長時一次性完成增透膜結(jié)構(gòu)的生長；這樣形成的有表面增透薄膜的發(fā)光二極管，其光的反射率更小，增透效果更顯著。