一種用于半導體芯片制作中的圖形電極金屬膜剝離方法
基本信息

| 申請?zhí)?/td> | CN200410036172.0 | 申請日 | - |
| 公開(公告)號 | CN1767153A | 公開(公告)日 | 2006-05-03 |
| 申請公布號 | CN1767153A | 申請公布日 | 2006-05-03 |
| 分類號 | H01L21/28(2006.01);H01L21/44(2006.01);H01L21/60(2006.01);H01L21/768(2006.01) | 分類 | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 徐之韜;邱樹添 | 申請(專利權)人 | 廈門市三安光電股份有限公司 |
| 代理機構 | 廈門原創(chuàng)專利事務所 | 代理人 | 廈門三安電子有限公司;廈門市三安光電科技有限公司 |
| 地址 | 361009福建省廈門市呂嶺路1721號 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要

| 摘要 | 本發(fā)明公開一種用于半導體芯片制作中的圖形電極金屬膜剝離方法。當半導體芯片電極采用化學方法代以腐蝕的金屬膜時,圖形電極只好采用剝離方法獲得。本發(fā)明提供了一種采用雙層正性光刻膠作為剝離介質的新方法:本方法的特點是得到“倒臺”光刻膠剖面,使電子束蒸發(fā)后的金屬膜的剝離變得十分容易;采用該方法所得到圖形電極完好,邊緣清晰,附著力牢;方法簡單易行,工藝可靠;適合于半導體芯片制作中多層金屬膜圖形電極的制作。 |





