一種射頻功率放大器及電子設(shè)備

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202120362031.7 申請日 -
公開（公告）號(hào) CN214205471U 公開（公告）日 2021-09-14
申請公布號(hào) CN214205471U 申請公布日 2021-09-14
分類號(hào) H03F3/19（2006.01）I;H03F1/30（2006.01）I 分類 基本電子電路;
發(fā)明人 劉苗;彭波華;胡念楚;賈斌 申請（專利權(quán)）人 開元通信技術(shù)（廈門）有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京集佳知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 王曉坤
地址 361026福建省廈門市海滄區(qū)中國（福建）自由貿(mào)易試驗(yàn)區(qū)廈門片區(qū)（保稅港區(qū)）海景南二路45號(hào)4樓03單元F0070
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本申請公開了一種射頻功率放大器，包括：晶體管和由下至上依次層疊的多層基板，相鄰兩層所述基板之間分布有通孔，所述晶體管位于除最頂層所述基板之外的任意相鄰兩層所述基板之間，且所述晶體管的襯底厚度小于等于所述晶體管所在的相鄰兩層所述基板之間的距離。本申請中，晶體管位于除去最頂層之外的其他任意相鄰兩層基板之間，并且晶體管的襯底厚度小于等于該相鄰兩層基板間的間距，因此，晶體管上的發(fā)射極到地的電長度減小，所以接地電感減小，并且，由于晶體管不位于最頂層，散熱通路變短，所以散熱通路熱阻減小，散熱效果提升，射頻功率放大器的性能增強(qiáng)。此外，本申請還提供一種具有上述優(yōu)點(diǎn)的電子設(shè)備。