一種5G基站保護芯片制造工藝

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202010768084.9 申請日 -
公開（公告）號 CN111863616A 公開（公告）日 2020-10-30
申請公布號 CN111863616A 申請公布日 2020-10-30
分類號 H01L21/329(2006.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 崔文榮 申請（專利權(quán)）人 江蘇晟馳微電子有限公司
代理機構(gòu) 北京天盾知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 江蘇晟馳微電子有限公司
地址 226600江蘇省南通市海安經(jīng)濟技術(shù)開發(fā)區(qū)康華路55號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種5G基站保護芯片制造工藝，涉及5G基站技術(shù)領(lǐng)域，具體為一種5G基站保護芯片制造工藝，所述包括以下步驟：S1、擴散前處理；S2、氧化；S4、雙面開管磷沉積；S5、開管擴磷；S6、蝕刻溝槽；S7、電泳鈍化；S8、完成芯片制造。該5G基站保護芯片制造工藝設(shè)置的芯片采取臺面工藝，芯片臺面附近區(qū)域設(shè)計的輔助溝槽結(jié)構(gòu)，當外加最高反向電壓時，P型基區(qū)耗盡層被限制在基區(qū)以內(nèi)，其擊穿電壓高于主體結(jié)擊穿電壓，使主體結(jié)區(qū)域先擊穿，漏電流分布于主體結(jié)區(qū)域，而輔助結(jié)區(qū)域不發(fā)生擊穿，從而提高了高電壓瞬態(tài)電壓抑制器的耐壓性能，同時提高瞬態(tài)電壓抑制器的抗浪涌能力及可靠性。??