一種低壓低漏流高效保護芯片制造工藝

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202010767349.3 申請日 -
公開（公告）號 CN111863603A 公開（公告）日 2020-10-30
申請公布號 CN111863603A 申請公布日 2020-10-30
分類號 H01L21/225(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 崔文榮 申請（專利權）人 江蘇晟馳微電子有限公司
代理機構 北京天盾知識產(chǎn)權代理有限公司 代理人 江蘇晟馳微電子有限公司
地址 226600江蘇省南通市海安經(jīng)濟技術開發(fā)區(qū)康華路55號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種低壓低漏流高效保護芯片制造工藝，涉及芯片技術領域，具體為一種低壓低漏流高效保護芯片制造工藝，包括以下步驟：S1、擴散前處理；S2、氧化；S3、光刻；S4、雙面開管磷沉積；S5、開管擴磷；S6、蝕刻溝槽；S7、電泳鈍化；S8、完成芯片制造。該低壓低漏流高效保護芯片制造工藝通過芯片表面高濃度N+層有助于提升抗浪涌能力，溝道擴散有助于降低漏電，電泳的致密性薄層提升可靠性；芯片采取臺面工藝，增加N型區(qū)耗盡層結構，改變了N型擴散區(qū)的濃度結構曲線，利用N型擴散區(qū)耗盡層寬度的附加耐壓，增加了P+區(qū)寬度；增寬了高導電率區(qū)域，增強了P+區(qū)對P基區(qū)發(fā)射電子的能力。??