高純半絕緣SiC單晶的制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202010691891.5 申請日 -
公開（公告）號 CN111893564A 公開（公告）日 2020-11-06
申請公布號 CN111893564A 申請公布日 2020-11-06
分類號 C30B23/00(2006.01)I;C30B29/36(2006.01)I 分類 晶體生長〔3〕;
發(fā)明人 楊昆;路亞娟;牛曉龍;劉新輝;張福生 申請（專利權(quán)）人 河北同光科技發(fā)展有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京連城創(chuàng)新知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 許莉
地址 071051河北省保定市北三環(huán)6001號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開一種高純半絕緣SiC單晶的制備方法，涉及SiC單晶的生長制備技術(shù)領(lǐng)域，用于解決現(xiàn)有技術(shù)中針對石墨部件及多晶原料所吸附氮?dú)庠诟邷厣L過程中解吸附而導(dǎo)致高純半絕緣SiC單晶產(chǎn)率下降的技術(shù)問題。本發(fā)明所述的高純半絕緣SiC單晶的制備方法，將籽晶及SiC多晶原料分別置于生長腔的兩端，采用物理氣相傳輸方法生長單晶，其包括兩次生長過程：第一次生長采用假片籽晶，第二次生長籽晶采用單晶SiC晶片，且第二次生長溫度較第一次生長溫度低50?150℃。本發(fā)明主要應(yīng)用于高純半絕緣單晶的制備中。??