一種碳化硅晶片化學(xué)機械拋光后表面保護方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202010691694.3 申請日 -
公開（公告）號 CN111883416A 公開（公告）日 2020-11-03
申請公布號 CN111883416A 申請公布日 2020-11-03
分類號 H01L21/02(2006.01)I;H01L21/04(2006.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 崔景光;李永超;高彥靜;曹寶紅;李琦 申請（專利權(quán)）人 河北同光科技發(fā)展有限公司
代理機構(gòu) 北京連城創(chuàng)新知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 許莉
地址 071051河北省保定市北三環(huán)6001號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及一種碳化硅晶片化學(xué)機械拋光后表面保護方法，包括如下步驟：1）將多線切割后的晶片進行機械加工處理，2）將氫氟酸溶液稀釋到一定濃度后備用，3）將所述步驟1）中加工處理后的晶片放置于稀釋后的氫氟酸溶液中，靜置一段時間，4）將所述步驟3）中靜置完成后的晶片取出用純水徹底沖洗，5）將沖洗后的晶片進行干燥處理后將其轉(zhuǎn)移至檢測臺進行檢測。本發(fā)明的氫氟酸溶液對拋光后的碳化硅晶片進行清洗可以抑制氧化膜的形成，降低了下道工序的工作難度，提高了生產(chǎn)效率。??