高純半絕緣SiC單晶的制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202010691891.5 申請日 -
公開（公告）號 CN111893564B 公開（公告）日 2021-10-29
申請公布號 CN111893564B 申請公布日 2021-10-29
分類號 C30B23/00（2006.01）I;C30B29/36（2006.01）I 分類 晶體生長〔3〕;
發(fā)明人 楊昆;路亞娟;牛曉龍;劉新輝;張福生 申請（專利權）人 河北同光科技發(fā)展有限公司
代理機構 北京連城創(chuàng)新知識產權代理有限公司 代理人 許莉
地址 071051河北省保定市北三環(huán)6001號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開一種高純半絕緣SiC單晶的制備方法，涉及SiC單晶的生長制備技術領域，用于解決現(xiàn)有技術中針對石墨部件及多晶原料所吸附氮氣在高溫生長過程中解吸附而導致高純半絕緣SiC單晶產率下降的技術問題。本發(fā)明所述的高純半絕緣SiC單晶的制備方法，將籽晶及SiC多晶原料分別置于生長腔的兩端，采用物理氣相傳輸方法生長單晶，其包括兩次生長過程：第一次生長采用假片籽晶，第二次生長籽晶采用單晶SiC晶片，且第二次生長溫度較第一次生長溫度低50?150℃。本發(fā)明主要應用于高純半絕緣單晶的制備中。