薄膜體聲波諧振器和濾波器的制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201910231620.9 申請日 -
公開（公告）號 CN109951171A 公開（公告）日 2019-06-28
申請公布號 CN109951171A 申請公布日 2019-06-28
分類號 H03H3/04（2006.01）I; H03H9/17（2006.01）I 分類 基本電子電路;
發(fā)明人 李善斌; 劉紹侃; 董謙; 史曉婷; 霍俊標; 張雪奎 申請（專利權）人 浙江華遠微電科技有限公司
代理機構 深圳市恒申知識產權事務所（普通合伙） 代理人 深圳華遠微電科技有限公司; 北京中訊四方科技股份有限公司
地址 518000 廣東省深圳市寶安區(qū)沙井街道新二社區(qū)莊村路5號D、E棟
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種薄膜體聲波諧振器和濾波器制備方法。所述薄膜體聲波諧振器制備方法包括步驟有：在襯底的一表面上進行刻蝕處理，形成凹槽；向所述凹槽內形成犧牲層、在所述犧牲層的表面和所述襯底的所述表面上形成支撐層；沿所述襯底向支撐層的延伸方向，在所述支撐層的表面上依次形成第一底電極層、溫飄層、第二底電極層、壓電層和頂電極層；釋放所述犧牲層處理，形成封閉的空腔。所述濾波器制備方法包括按照所述薄膜體聲波諧振器的制備方法進行制備薄膜體聲波諧振器的步驟。所述薄膜體聲波諧振器的制備方法賦予制備的所述薄膜體聲波諧振器損耗和溫飄低、溫度系數(shù)小、功率承受力和工作頻率以及機電耦合系數(shù)高、兼容性好，具有很好的Q值。