能夠提高成膜質(zhì)量的磁控濺射制備ITO薄膜的系統(tǒng)

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201710287731.2 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN107142452B 公開（公告）日 2019-07-23
申請(qǐng)公布號(hào) CN107142452B 申請(qǐng)公布日 2019-07-23
分類號(hào) C23C14/08;C23C14/35 分類 對(duì)金屬材料的鍍覆；用金屬材料對(duì)材料的鍍覆；表面化學(xué)處理；金屬材料的擴(kuò)散處理；真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆；金屬材料腐蝕或積垢的一般抑制〔2〕;
發(fā)明人 易鑒榮;唐臻;林荔珊 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 柳州豪祥特科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京遠(yuǎn)大卓悅知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 靳浩
地址 545616 廣西壯族自治區(qū)柳州市柳東新區(qū)官塘創(chuàng)業(yè)園研發(fā)中心2號(hào)樓511號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種能夠提高成膜質(zhì)量的磁控濺射制備ITO薄膜的系統(tǒng)，包括：依次相連的預(yù)熱腔、沉積腔、冷卻腔、成品腔和真空泵以及控制面板。所述沉積腔的兩側(cè)壁上設(shè)置有ITO靶材和磁體，所述ITO靶材的前端設(shè)置有可開合的擋板；所述沉積腔的兩側(cè)壁上均勻開設(shè)有通氣孔，且所述兩側(cè)壁上的通氣孔交錯(cuò)設(shè)置，以向所述沉積腔內(nèi)通入反應(yīng)氣體；所述冷卻腔的底面上設(shè)置有第二加熱板；所述成品腔內(nèi)設(shè)置有多個(gè)格柵，以將所述成品腔均勻分隔為多個(gè)隔室。其采用流水線式的制備系統(tǒng)，使得成膜效率大大提高，且成膜均勻質(zhì)量高。同時(shí)所述系統(tǒng)在成膜和冷卻步驟進(jìn)行控制，進(jìn)一步提高了成膜質(zhì)量。