一種記憶裝置及制造方法
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN202011575398.3 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開(kāi)（公告）號(hào) | CN114695364A | 公開(kāi)（公告）日 | 2022-07-01 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN114695364A | 申請(qǐng)公布日 | 2022-07-01 |
| 分類(lèi)號(hào) | H01L27/11507（2017.01）I;H01L27/11502（2017.01）I | 分類(lèi) | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 孔繁生;周華 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 | 光華臨港工程應(yīng)用技術(shù)研發(fā)（上海）有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 上海思牛達(dá)專利代理事務(wù)所（特殊普通合伙） | 代理人 | - |
| 地址 | 200135上海市浦東新區(qū)自由貿(mào)易試驗(yàn)區(qū)臨港新片區(qū)環(huán)湖西二路888號(hào)C樓 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明實(shí)施例提供的記憶裝置及其制造方法中鐵電存儲(chǔ)器單元，其由鐵電電容器和存儲(chǔ)器單元晶體管構(gòu)成，其中，該鐵電電容器配置于所述多個(gè)位線與所述多個(gè)字線及所述極板線的交叉部、一個(gè)電極與所述極板線連接，該存儲(chǔ)器單元晶體管源極與所述鐵電電容器的另一電極連接、漏極與所述位線連接、柵極與所述字線連接，負(fù)載電容調(diào)節(jié)單元，其由負(fù)載電容和垂直納米GAA場(chǎng)效應(yīng)晶體管構(gòu)成，其中，該負(fù)載電容配置于所述多個(gè)位線與所述位線控制線的交叉部、一個(gè)電極與接地電位連接，該垂直納米GAA場(chǎng)效應(yīng)晶體管源極與所述負(fù)載電容的另一電極連接、漏極與所述位線連接、柵極與所述位線控制線連接，能夠減少FeRAM（鐵電存儲(chǔ)器）單元面積。 |
