一種半導體器件、制造方法及其應用
基本信息
| 申請?zhí)?/td> | CN202011527315.3 | 申請日 | - |
| 公開（公告）號 | CN113838935A | 公開（公告）日 | 2021-12-24 |
| 申請公布號 | CN113838935A | 申請公布日 | 2021-12-24 |
| 分類號 | H01L29/78（2006.01）I;H01L29/06（2006.01）I;H01L21/336（2006.01）I | 分類 | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 黎子蘭;張樹昕;陳衛(wèi)賓 | 申請（專利權(quán)）人 | 廣東致能科技有限公司 |
| 代理機構(gòu) | 北京超凡宏宇專利代理事務所（特殊普通合伙） | 代理人 | 何明倫 |
| 地址 | 510700廣東省廣州市黃埔區(qū)長嶺路30號19棟139房 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本公開內(nèi)容提供一種半導體器件及其制作方法。所述半導體器件包括基底；生成二維電荷載流子氣的一界面；第一電極和第二電極；基底上形成的第一類型摻雜的第一半導體層，在所述第一半導體層中形成第一類型摻雜原子不具備電活性的第一區(qū)域和第一類型摻雜原子具備電活性的第二區(qū)域；所述第二區(qū)域中包含與所述第一區(qū)域共面的部分。所述半導體器件既能避免晶體結(jié)構(gòu)的損傷，又能在工藝上容易實現(xiàn)，且能保持較好的二維電荷載流子氣的輸送性質(zhì)，有利于器件性能的提升。 |
