一種III族氮化物半導體集成電路結構、制造方法及其應用

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202010361160.4 申請日 -
公開（公告）號 CN113571516A 公開（公告）日 2021-10-29
申請公布號 CN113571516A 申請公布日 2021-10-29
分類號 H01L27/085（2006.01）I;H01L21/8252（2006.01）I;H01L29/778（2006.01）I;H01L21/335（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 黎子蘭 申請（專利權）人 廣東致能科技有限公司
代理機構 北京超凡宏宇專利代理事務所（特殊普通合伙） 代理人 崔振
地址 510700廣東省廣州市黃埔區(qū)長嶺路30號19棟139房
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供一種III族氮化物半導體集成電路結構、制造方法及其應用。所述集成電路結構是基于III族氮化物半導體的HEMT與HHMT的互補型電路，能在同一個襯底上實現(xiàn)HEMT與HHMT的集成，且HEMT與HHMT分別具有垂直界面的極化結，兩者的極化結的晶向不同，二維載流子氣在平行于所述極化結方向上形成載流子溝道，并借助掩埋摻雜區(qū)域而幾乎耗盡對應的溝道載流子。與傳統(tǒng)的硅基CMOS相比，本發(fā)明的集成電路結構在載流子遷移率、導通電流密度、開關速度等方面都具有優(yōu)勢，能夠實現(xiàn)低導通電阻、低的寄生電感和器件的常關狀態(tài)，能達到更高的導通電流密度、更高的集成度和能耗小的技術效果。