一種高耐壓的高電子遷移率晶體管
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN201910826836.X | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開(kāi)（公告）號(hào) | CN112447837A | 公開(kāi)（公告）日 | 2021-03-05 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN112447837A | 申請(qǐng)公布日 | 2021-03-05 |
| 分類(lèi)號(hào) | H01L29/778(2006.01)I;H01L21/335(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I | 分類(lèi) | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 黎子蘭 | 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人 | 廣東致能科技有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 北京超凡宏宇專(zhuān)利代理事務(wù)所（特殊普通合伙） | 代理人 | 武成國(guó) |
| 地址 | 510700廣東省廣州市黃埔區(qū)長(zhǎng)嶺路30號(hào)19棟139房 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本申請(qǐng)涉及半導(dǎo)體功率器件，具體而言，涉及一種高耐壓高電子遷移率晶體管。高耐壓高電子遷移率晶體管，其包含柵電極、源電極、漏電極、勢(shì)壘層、溝道層、形核層、基底；溝道層位于勢(shì)壘層和基底之間，溝道層包括P?型Ⅲ?Ⅴ族半導(dǎo)體層，其中形核層與漏電極在基底上的投影至少部分區(qū)域重合，漏電極與溝道層的二維電子氣電接觸，源電極與P?型Ⅲ?Ⅴ族半導(dǎo)體層電接觸，柵電極位于勢(shì)壘層之上。?? |
