一種半導(dǎo)體器件及其制造方法
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN202010593852.1 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開(kāi)（公告）號(hào) | CN113838929A | 公開(kāi)（公告）日 | 2021-12-24 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN113838929A | 申請(qǐng)公布日 | 2021-12-24 |
| 分類(lèi)號(hào) | H01L29/778（2006.01）I;H01L29/06（2006.01）I;H01L21/335（2006.01）I | 分類(lèi) | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 黎子蘭 | 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人 | 廣東致能科技有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 北京超凡宏宇專(zhuān)利代理事務(wù)所（特殊普通合伙） | 代理人 | 崔振 |
| 地址 | 510700廣東省廣州市黃埔區(qū)長(zhǎng)嶺路30號(hào)19棟139房 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本公開(kāi)內(nèi)容提供一種半導(dǎo)體器件及其制造方法，所述半導(dǎo)體器件包括以一基材，在所述基材上形成的凹槽，受所述凹槽結(jié)構(gòu)限制生長(zhǎng)的所述溝道層結(jié)構(gòu)，所述溝道層結(jié)構(gòu)露出所述基材的上表面；覆蓋在露出的溝道層結(jié)構(gòu)上的勢(shì)壘層，在所述溝道層結(jié)構(gòu)的第二面和第一面上分別形成的二維電子氣和二維空穴氣，以及在所述溝道層結(jié)構(gòu)第一面/第二面上形成的源極、柵極和漏極；在所述溝道層結(jié)構(gòu)第二面/第一面上形成的底電極。所述半導(dǎo)體器件能夠減小柵極漏電流，具有高閾值電壓、高功率、高可靠性，能夠?qū)崿F(xiàn)低導(dǎo)通電阻和器件的常關(guān)狀態(tài)，能夠提供穩(wěn)定的閾值電壓，從而使得半導(dǎo)體器件具有良好的開(kāi)關(guān)特性，在使用中更安全。以及可以有效地降低局部電場(chǎng)強(qiáng)度，提高器件的整體性能與可靠性；所述半導(dǎo)體器件的結(jié)構(gòu)和制備工藝較為簡(jiǎn)單，能有效減低生產(chǎn)成本。 |
