半導(dǎo)體器件及其制造方法
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN201910822402.2 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開(kāi)（公告）號(hào) | CN112447835A | 公開(kāi)（公告）日 | 2021-03-05 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN112447835A | 申請(qǐng)公布日 | 2021-03-05 |
| 分類(lèi)號(hào) | H01L21/335(2006.01)I;H01L29/778(2006.01)I;H01L29/10(2006.01)I | 分類(lèi) | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 黎子蘭 | 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人 | 廣東致能科技有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 北京超凡宏宇專(zhuān)利代理事務(wù)所（特殊普通合伙） | 代理人 | 武成國(guó) |
| 地址 | 510700廣東省廣州市黃埔區(qū)長(zhǎng)嶺路30號(hào)19棟139房 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本公開(kāi)內(nèi)容提供一種半導(dǎo)體器件及其制作方法，所述器件包括襯底；在所述襯底上形成的第一半導(dǎo)體層；在所述第一半導(dǎo)體層的上形成的第二半導(dǎo)體層；第一半導(dǎo)體層具有比第二半導(dǎo)體層更小的禁帶寬度；在所述第一或第二半導(dǎo)體層上形成的第一電極和第三電極，在所述第二半導(dǎo)體層上形成的第二電極，在第二電極下方具有第三半導(dǎo)體層，所述第三半導(dǎo)體層為P?型第三半導(dǎo)體層。本公開(kāi)內(nèi)容的方案至少能有助于實(shí)現(xiàn)如下效果之一：減小柵極漏電流，具有高閾值電壓、高功率、高可靠性，能夠?qū)崿F(xiàn)低導(dǎo)通電阻和器件的常關(guān)狀態(tài)，能夠提供穩(wěn)定的閾值電壓，從而使得半導(dǎo)體器件具有良好的開(kāi)關(guān)特性，在使用中更安全。?? |
